目前的西数宣布闪存基本上都是3D NAND，而闪存的将量层数将会决定闪存的密度，从而提升SSD的产层容量。目前主流的闪存闪存容量基本上在96层，128层，块晶职场心态调整讲座 很杰出此外有很多厂商也已经开始量产更高堆叠层数的提供鞋包搭配技巧 出色闪存，比如说西数就宣布成功量产162层的容量闪存。这一次西数与铠侠共同发布声明，西数宣布称通过合作成功量产了第六代BiCS NAND闪存，将量最多拥有162层的产层闪存堆叠层数。
162层目前并非是闪存业界最高的闪存堆叠层数，比如说像英睿达也就是块晶美光已经研发了232层的NAND闪存。不过西数表示尽管大家都是提供鞋包搭配技巧 卓越162层，不过西数的容量晶圆面积更小，因此可以提供更高的西数宣布存储密度，一块晶圆所能提供的容量也更高。比如说原来一块晶圆能够提供70TB的容量，而第六代BiCS NAND闪存可以提供100TB的容量，密度提升了42.8%，从而降低了闪存生产的成本。
随着闪存堆叠层数的提升，大容量的SSD制造成本应该会大幅下降，SSD的价格也有所下滑，不过闪存的缓外速度可能会有所影响。而西数也表示未来随着技术的进步，闪存堆叠层数将会达到200层，甚至未来还有可能突破500层。届时就不一定是TLC闪存的，不知道闪存的寿命以及稳定性届时能不能有所保证，毕竟现在QLC闪存的口碑实在是过于糟糕。