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日前，全球美国NEO半导体公司宣布了全球首款3D内存，首款升倍可解决内存容量瓶颈，存容追上SSD。量提相关专利申请已于2023年4月6日在美国专利申请公告中公布。赶超电影推荐榜单 卓越不凡之士

NEO是全球限时优惠抢购 无与伦比一家存储芯片技术公司，这次推出的首款升倍3DX-DRAM号称全球首款类3D NAND的内存技术，将内存带入3D时代。存容其技术思路跟3D NAND闪存类似，量提通过堆栈层数来提高内存容量，赶超类似闪存芯片中的全球FBC浮栅极技术，但增加一层Mask就可以形成垂直结构，首款升倍因此良率高、存容限时优惠抢购 精彩绝伦成本低、量提密度大幅提升。赶超

根据Neo的估计，3DX-DRAM技术可以通过230层实现128GB的容量，相较于当前16GB的2D DRAM内存实现8倍容量的提升，并且计划每十年将3DX-DRAM的容量提升8倍，到2035年达到1TB的核心容量，实现总计64倍的容量提升。不过，由于NEO公司并没有自己的晶圆厂，因此目前寻找授权厂商，如三星、SK海力士、美光、西数、铠侠等，以便将3DX-DRAM投入生产。